شرکت تایوانی TSMC از فناوری ساخت تراشه ۱.۶ نانومتری رونمایی کرد. این فناوری با نام تجاری A16 عرضه می‌شود.
این فناوری جایگزین فناوری ۲ نانومتری N2P شده است و هرچند از همان ترانزیستورهای GAA استفاده می‌کند اما از تکنولوژی جدید انتقال انرژی BSPDN بهره می‌برد.
تکنولوژی BSPDN بهبودهای قابل توجهی را ارائه می‌دهد که شامل بهبود عملکرد و کاهش مصرف انرژی می‌شود. این تکنولوژی همچنین می‌تواند تراکم ترانزیستور را ۷ تا ۱۰ درصد افزایش دهد.
انتظار می‌رود تولید فناوری ساخت تراشه A16 از اواسط سال ۲۰۲۶ آغاز شود و دستگاه‌های مجهز به آن احتمالا از سال ۲۰۲۷ روانه بازار خواهند شد.
گفتنی است اینتل اخیرا در مراسم سالانه IFS خود برای اولین بار از لیتوگرافی ۱۴A که برای ساخت تراشه‌های ۱.۴ نانومتری کاربرد دارد رونمایی کرد.
اینتل در این مراسم تلاش کرد تا خود را به عنوان رقیب جدی شرکت‌هایی مانند سامسونگ و TSMC در زمینه ساخت تراشه‌های پیشرفته معرفی کند.
این شرکت با معرفی لیتوگرافی ۱۴A قصد دارد پردازنده‌های پرقدرت‌تر و کم‌مصرف‌تر تولید کند و بتواند به رقیب اصلی خود یعنی TSMC نزدیک‌تر شود.
TSMC در واکنش به این موضوع گفته است که فناوری ۳ نانومتری این شرکت قویتر از لیتوگرافی ۱۸A اینتل است. TSMC قرار است در سال ۲۰۳۰ به سراغ فناوری ساخت تراشه ۱.۴ نانومتری برود.
موضوع دیگری که برای TSMC اهمیت داشت استفاده از ترانزیستورهای GAA به جای ترانزیستورهای FinFET در لیتوگرافی ۲ نانومتری با هدف کاهش مصرف انرژی و افزایش عملکرد بود. این فناوری، TSMC را در برابر سامسونگ که در حال حاضر از ترانزیستورهای GAA در پروسه ۳ نانومتری خود استفاده می کند، رقابتی‌تر می‌کند.
نظرات